三星一領域急追台積電 專利申請量全面超車
工商時報 數位編輯 2020.11.16
三星電子。圖 /美聯社


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據韓國《BusinessKorea》報導，以三星為首韓國企業在晶圓先進製程雖暫時不如台積電受肯定，但在先進製程必備技術EUV（極紫外光）曝光方面已經後來居上，三星各種專利申請量都領先台積電。
該文並沒有特別強調與台積電競爭，更著墨於韓國自身EUV曝光技術進入成長階段。韓國特許廳（특허청 ，專利及智慧財產權管理機構）的專利申請數量，韓企已連2年提交數量超過國外公司，這在2018年前從未發生。
EUV技術包含多項關鍵，例如多層反射鏡、多層光罩、防護膜、光源等，近期EUV已經被晶圓代工業用來生產5奈米製程晶片。近10年來吸引國際各大半導體商爭相投入研發。
據報導，近10年來6家針對EUV關鍵技術發展的企業所申請專利量就達全球，分別是卡爾蔡司（德國）18%、三星15%、ASML（荷蘭）11%、S&S Tech（韓國）8%、台積電6%、SK海力士1%。
若以技術區分，處理技術專利申請量約占32%，曝光設備技術占31%、光罩技術占28%，光罩占9%。EUV用於製程領域可見三星、台積電優勢，因為2大龍頭合計占比超過50%，分別是三星39%、台積電15%。另外在台積電相對空白的光罩領域，三星也占9%，次於專做光罩的S&S Tech、Hoya（日本）、漢陽大學。

不過該文並未指出的是，雖然EUV光刻機曝光技術研發和專利申請各大廠商都投入，但能製造用於生產的EUV光刻機仍然僅限於ASML。
（中時 王毓健）