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台積電先進封裝製程難度提升 法人看好這幾檔可望受惠
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來源:
價值投資
發佈於 2026-05-20 14:16
台積電先進封裝製程難度提升 法人看好這幾檔可望受惠
經濟日報|2026.05.20 13:19
台積電(2330)2026年北美技術論壇展現從「單純物理微縮」,轉型「系統級立體優化」的戰略藍圖,隨先進封裝製程難度變高,有利設備單價提升及市占提高,法人點名,弘塑可望受惠技術升級紅利,均華、印能科技、志聖等亦可留意。
投顧法人分析,台積電2026年北美技術論壇主軸為「以領先矽製程擴展AI」,台積電明確展現轉型為「系統級立體優化」的戰略藍圖,預期2026至2029年是AI後段製程密集兌現的爆發期,前段晶圓代工與後段先進封裝界線逐漸模糊,後段製程複雜度已達前段製程水準。
因應日益增長的AI運算需求,台積電持續擴大中介層尺寸,發展藍圖顯示,預計2027、2028、2029年分別推出9.5倍、14倍、大於14倍光罩尺寸的封裝技術,並依序可搭載12顆HBM4E、20顆HBM5、24顆HBM5E。
法人表示,台積電認為單一晶片物理微縮已接近極限,3D SoIC是打破限制唯一途徑,未來趨勢不再將所有東西塞進一顆大晶片,而是將多個製程節點進行垂直整合,大幅提升互連密度與運算效能,SoIC做為台積電3D Fabric家族中最前沿的3D矽堆疊技術,是實現「系統級摩爾定律」核心。
台積電預計至2029年SoIC 間距將進一步微縮至4.5微米,並應用於最先進的 A14-on-A14製程生產,藉由先進邏輯製程、SoIC及CoWoS 結合,從2024至2029年,單一CoWoS封裝內的AI運算電晶體數量將大增48 倍,單一CoWoS的HBM記憶體頻寬亦將提升34 倍,大幅提升AI晶片效能。
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