2016-06-13 20:29 經濟日報 記者簡永祥╱即時報導
環球晶圓的「低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程開發計畫」於今年5月中通過科學工業園區研發精進產學合作計畫，並於6月8日與科技部新竹科學工業園區管理局完成簽約。
環球晶表示，希望藉由與清華大學的產學合作，成功開發低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程，以因應未來智慧生活的時代來臨並引領工業4.0的全面導入，展現台灣半導體產業的精湛技術實力並成功行銷全球。
環球晶圓與國立清華大學電子工程研究所徐碩鴻教授共同研究合作「低阻值矽基板之氮化鎵磊晶工程與射頻元件製程開發計畫」，計劃執行期間自105年5月1日至106年4月30日。環球晶圓今年1月以此計畫向科技部新竹科學工業園區管理局申請105年度科學工業園區研發精進產學合作計畫，今年5月業經審查通過，並於6月8日與新竹科學園區管局辦理簽約事宜。環球晶為此計畫的申請機構，清華大學為此計畫的學研機構。
新世代氮化鎵Radio Frequency (RF)元件，主要是成長在半絕緣碳化矽 (GaN on SiC) ，其優點是高電子遷移率，但缺點是SiC基板非常昂貴。藉由此計劃，環球晶將開發於Z低阻值基板上成長GaN，並應用在RF元件。