國研院奈米元件實驗室繼成功研發出「多重鰭高鰭式場效電晶體」之後，再宣布將自本月起開放「非平面元件服務平台」，盼能提供國內研究者於研發各種元件雛型與製程技術之用。關於研究成果如何與業界接軌，國研院奈米元件實驗室也透露，其所開發出多重鰭高的技術已在申請台灣、美國專利，希望能優先提供給台灣的學界、業界使用。
事實上，國研院奈米元件實驗室表示，其頂頭上司國科會的「產學大聯盟」，早與國內晶圓代工龍頭台積電(2330)的「大同盟」(Grand Alliance)之間存在合作關係，以5~7奈米製程節點作為研發的重心。據了解，其每年約有政府經費5億元、民間經費1億元的資金，從事相關研究，其中包括台積電、記憶體大廠旺宏(2337)、微機電(MEMS)廠商，以及日系的設備大廠均有投入資源共同研發合作。
國研院奈米元件實驗室說明，目前20奈米以下的製程，就要往3D結構(意指鰭式場效電晶體)去走，不過10奈米以下的更先進製程，光是鰭式場效電晶體的架構可能還不足以應付漏電流等問題，可能同時還要加入更先進的材料，而國研院奈米實驗研究室目前於5~7奈米的技術節點也已有些研究突破。惟無論如何，非平面式元件(包括鰭式場效電晶體與多重鰭高鰭式電晶體)，可說是20奈米以下製程不可或缺的。
國研院奈米元件實驗室進一步指出，英特爾於2012年推出IvyBridge處理器，且首採鰭式電晶體(FinFET)結構量產後，包括英特爾自己、台積電、以及三星，在接下來的14/16奈米製程，預計都將使用這樣的鰭式電晶體架構。此次開發出多重鰭高鰭式場效電晶體，就是希望除了單一鰭高的鰭式場效電晶體外，能夠提供半導體業者更靈活的電路設計方式，而國研院奈米實驗研究室也會持續與台積大同盟等夥伴密切合作，希望能夠更快協助業界達成量產的目標。依目前該單位的預期，多重鰭高鰭式場效電晶體，可望在5年內協助業界進入量產。