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《國際經濟》美國2月製造業PMI明揭曉，看升
2014/03/02 11:23 時報資訊
【時報-台北電】本周國際重要經濟數據聚焦美國，供應管理協會（ISM）周一（3日）將公布2月製造業採購經理人指數（PMI），2月非農業就業報告和失業率擬於周五（7日）出爐，將可觀察美國經濟復甦力道，和聯準會（Fed）的量化寬鬆走向。
受到嚴寒氣候影響，美國1月份ISM製造業PMI陡降至51.3點的8個月低點，隨著氣溫回升，影響製造業活動的一次性因素排除後，數據可望反彈。
紐約TD證券美國研究策略部門主管穆瑞尼（Millan Mulraine）指出，「製造業走疲只是暫時性，俟氣候因素消除後，預期未來幾個月製造業活動可望大幅反彈。」
此外，美國1月非農業就業人口僅增加11.3萬人，不過失業率降至6.6％的5年多來新低。財經網站MarketWatch預估，1月的非農業就業人口可望大增14.9萬人，而失業率將進一步下降至6.5％，即聯準會先前設定的升息門檻。
聯準會將於3月18日召開決策會議，這也是主席葉倫上任後首次主持的決策會議，2月的就業報告將是最新的參考依據。巴克萊資本首席美國經濟學家蓋本（Michael Gapen）預期，聯準會將在3月至9月的5次會議中，各宣布縮減購債規模100億美元，並於10月讓第3輪量化寬鬆正式退場。(新聞來源：工商時報─記者顏嘉南／綜合外電報導)
《各報要聞》DRAM、NAND Flash價格，全面走跌
2014/03/02 11:00 時報資訊
【時報-各報要聞】中國農曆年後進入記憶體市場淡季，由於ODM/OEM廠及手機廠等手中庫存水位居高不下，加上SK海力士無錫廠順利復工，2月以來DRAM及NAND Flash現貨價、合約價全面走跌；展望後市因庫存去化速度過慢，業者認為第2季底前，價格難逃下跌趨勢。
受到中國農曆年前的拉貨需求支撐，今年1月份DRAM現貨價及合約價均維持高檔，但農曆年過後因需求轉弱，加上SK海力士無錫廠產能陸續回復，以及三星順利轉進25奈米量產，DRAM現貨價不僅出現明顯跌勢，合約價也同步走跌。
根據模組廠及集邦科技報價，2月以來4Gb DDR3晶片顆粒現貨價已由4.2美元跌到3.9美元、跌幅5～7％，2月下旬4GB DDR3模組合約價則降至32美元、較2月上旬小跌1.5％。
利基型DRAM市場因為主要需求集中在消費性電子領域，農曆年後的淡季效應明顯，因此價格跌幅也較大，如2月份x16規格1Gb DDR2的合約價就較上月下跌6.7％，市場均價約1.4美元，x16規格512Mb DDR2合約價則降至1美元，跌幅放大到9.1％。
NAND Flash市場則呈現兩樣情，應用在工控等利基市場的SLC規格NAND Flash因終端需求強勁，2月下旬合約價與上旬持平；但MLC規格NAND Flash則受到需求低迷及庫存過高所苦，價格明顯走跌，主流的64Gb MLC NAND Flash晶片合約價已降至3.03美元，較上旬跌幅高達11.1％。
業者表示，雖然智慧型手機及平板電腦對於NAND Flash需求持續成長，但是NAND Flash廠去年底大舉回補庫存後，如今生產鏈中明顯供給過剩，而且今年以來包括三星、東芝、SK海力士等採用1x奈米製程生產的高容量晶片產能，卻是源源不絕大量開出，所以NAND Flash現貨價及合約價已連續下滑超過6個月。
雖然微軟4月停止支援Windows XP將帶動企業PC換機潮，第2季新款智慧型手機接連上市，Mobile DRAM及NAND Flash需求轉強，將有效去化過剩產能；但因整個PC或行動裝置生產鏈中，記憶體庫存已高達8～10周，模組業者認為，6月底前DRAM及NAND Flash價格仍將維持跌勢。(新聞來源：工商時報─記者涂志豪／台北報導)