聯電攻20奈米 槓台積 獲IBM技術授權 加速CMOS製程開發 台積年底試產
鉅亨網新聞中心(來源：聯合報系/udndata.com)2012-06-3012:40
晶圓雙雄爭搶20奈米地盤鳴槍起跑! 晶圓代工「二哥」聯電（2303）攻進20奈米，昨（29）日宣布已取得IBM技術授權，將以FinFET 3D電晶體，促進次世代先進20奈米CMOS製程開發，與最快年底試產的台積互別苗頭。
聯電昨天下午宣布已取得IBM所授權技術，這項好消息也反映在股價上，昨天股價一路放量攻高，終場收在漲停價12.9元，單日成交量更放大至7萬張以上。
聯電指出，據雙方協議，IBM將授權其20奈米設計套件以及FinFET技術給聯電，聯電將可運用這些技術，加快推出這些製程給客戶採用的時程，對於公司財務、業務將具正面助益。
聯電先進技術開發副總陳一浸表示，聯電身為全球晶圓專工領導者，必須掌握先機適時推出尖端製程，以協助客戶實現其次世代晶片設計。借重IBM的專業技術來縮減聯電20奈米與FinFET研發周期，將為該公司與客戶創造雙贏。這項研發將在聯電位於南科的研發中心進行。
聯電與IBM兩家公司的協議內容包括IBM的20奈米CMOS與FinFET技術，聯電指出，內部自行研發的20奈米平面（planar）製程，將與IBM的設計規則與製程／元件目標同步，未來FinFET技術將針對行動運算與通訊產品，做為更強化的低耗電技術選項。
聯電表示，28奈米製程才正要量產，在取得IBM技術授權後，將可加速20奈米製程開發時程，但目前並沒有時間表，整體試量產時間還要視客戶端需求而定。
隨著聯電宣布投入20奈米與3D IC研發，代表晶圓雙雄的戰場又將由28奈米製程延伸到20奈米。
為擴大28奈米製程的領先優勢，並提前跨入20奈米製程，台積電已於4月底宣布拉高資本支出至80億元到85億美元，預期台積電的20奈米製程最快可在今年底、明年初試產，並於明年底、後年初正式量產，拉大與競爭對手的差距。
【記者謝佳雯／台北報導】