供需缺口擴大 記憶體漲價恐一波到底
李娟萍／台北報導
2025年9月21日 週日 上午4:10
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全球記憶體市場吹起漲價號角，繼SanDisk率先調漲NAND Flash報價10％後，美光9月12日向客戶發出通知，暫停報價一周，涵蓋DRAM與NAND全線產品。產業人士直言，本輪漲價來勢洶洶，「按照過往經驗，可能是一波到底」。
供應鏈與通路商透露，美光已提前釋出漲價訊號，預告DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等DRAM產品將全面調漲20％至30％，其中，車用及部分工業級產品漲幅更傳高達70％。
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市場法人分析，這不僅意味DRAM價格持續走強，也顯示漲勢可能外溢至NAND Flash，帶動整體記憶體市場價格重估。
硬碟（HDD）市場同樣拉警報，Western Digital（WD）通知客戶，HDD全產品線將全面漲價，並因應ESG與需求暴增增加海運比例，交貨週期恐拉長至6～10周。
通路訪查顯示，目前全球雲端服務供應商（CSP）的儲存需求缺口，約180至200EB，已超過2025年QLC NAND預估供給量173EB，短期供給難以補足。隨著缺口擴大，QLC漲價效應可望外溢至TLC SSD，進一步推升整體NAND報價。
下游雲端服務商也開始反映成本壓力，中國網路安全與雲端基礎架構供應商深信服科技日前公告，針對「托管雲DDR4內存」資源調價，最高漲幅達87％。
原因包括上游供應鏈價格急漲、AI與資料中心需求強勁，以及匯率與運輸等經營成本增加，使DDR4產生稀缺溢價。
法人指出，SanDisk、美光與WD的漲價行動，加上深信服等雲端業者的同步調價，凸顯記憶體供需結構急速收緊。若AI與資料中心需求持續升溫，預料自第四季起，全球DRAM與NAND報價恐再掀更大漲幅。