個股：5G世代正式來臨，IET-KY(4971)五面向布局搶市
2020/06/22 14:05 財訊快報／記者何美如報導
英特磊IET-KY(4971)今(22)日召開股東會，由於董事長暨總經理高永中還在美國，由董事熊卓華代理主席，高永中則透過連線一起參與。高永中表示，今年在營運上將從五大面向著手，重點計畫完成後，面射型雷射(VCSEL)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)及銻化鎵(GaSb)用於光通訊與3D感測、5G手機PA、功率IC(基地台)、消費性電子及國防工業等市場的競爭力將大幅提升，營收、獲利將有顯著提升。
一、在新廠完成安裝6-8台MBE機台，包括超高均勻度8x6in MBE機台；二、在新廠完成組裝氮化鎵(GaN)機台並於下半年投入GaN/SiC生產；三、擴大銻化鎵(GaSb)磊晶產能以配合商用與國防相關紅外磊晶片需求；四、與客戶共同研發超高頻磷化銦HBT(包括新MBE硬體構件整合)；五、開發組裝自製MBE機台以因應未來品質與產能需求。
高永中表示，在順利完成以上五大面向的重點計畫後，在面射型雷射(VCSEL) 用於光通訊與3D感測、磷化銦(InP)HBT用於5G手機PA、氮化鎵(GaN)用於功率IC(基地台)及消費性電子、銻化鎵(GaSb)用於國防工業等市場區塊的整體競爭力，將可提升到另一個境界，對於公司的營收獲利也將有顯著提升的作用。
英特磊去年營收7.12億元，較前年增加9.6%；整體產品比重中砷化鎵(GaAs)佔52%，磷化銦(InP)佔36%，銻化鎵(GaSb)佔12%。去年該公司完成了25G高速面射型雷射及磷化銦HBT在新廠生產、開發供應商用1.5-2.5um磷化銦及銻化鎵長波長紅外雷射、與合作夥伴共同發展4-6in GaN/SiC及GaN/Si磊晶生長技術、與MBE供應商共同發展超高均勻度8x6in MBE機台等四大關鍵布局。
今年的營運重點將在推動InP-HBT、GaN/SiC HEMT、25G APD and VCSEL、56G PIN等5G相關產品，並聚焦MBE有優勢之國防產品，例如：GaSb type-II SLS IR detector及其他新創產品如QCL、RTD、GaN/Si。
此外，強化MBE軟體硬體能力、8x6in MBE機台設計、即時監控系統、MBE長晶控制軟體、自製MBE零組件及整體機台；以及增強垂直整合能力，例如：發展雷射(含VCSEL)及銻化鎵GaSb探測器元件製程、HBT磊晶後製程等也都是英特磊今年主要的工作計畫。
未來十年電子產品應用重心將是5G及光電產品，InP HBT、GaN HEMT、 APD、PIN、面射型雷射與其他特殊雷射，對於高速無線傳輸，手持裝置、資料中心、雲端運算、穿戴式感測器、Lidar及泛用型感測將有關鍵性應用，高均勻度磊晶MBE技術將扮演日益重要的生產角色。英特磊表示，公司在MBE機台軟硬體整合能力與其他同業相比具有絕對優勢，有機會以最經濟的成本快速增產，達成即時搶市的目標。