2015年03月30日 記者涂志豪／台北報導
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力成季度營運表現 ●三星量產3D NAND後，其他陣營也紛紛搶進。圖／本報資料照片
在三星正式量產3D NAND之後，美光／英特爾、東芝／新帝等兩大陣營，近日不約而同發表3D NAND製程技術的最新進度，下半年就可開始小量生產並對客戶送樣，明年上半年就可進入全面量產階段，而承接兩大陣營後段封測業務的力成（6239）將成最大受惠者。
NAND Flash廠今年主流製程進入1y奈米世代，微縮難度大增且製造成本快速攀高，由於2D平面架構的NAND Flash製程走到10/12奈米就會遇到物理瓶頸，因此國際NAND Flash廠今年重頭戲不在於擴大產能及製程微縮，而是在加快3D NAND的技術研發及量產，進一步推升SSD出貨量。
繼三星去年下半年正式在大陸西安廠量產3D NAND之後，包括東芝／新帝、SK海力士、美光／英特爾等業者近期陸續宣布3D NAND生產計畫。東芝近日宣布，與新帝合作開發的管道成形位元可變成本（P-BiCS）技術3D NAND，已實現48層堆疊層數，超越先前的16層堆疊設計，也超越三星量產中的32層堆疊層數。東芝首款128Gb 3D NAND晶片已對客戶送樣，明年將在新翻修後的日本四日市Fab2中量產。
美光及英特爾上周亦揭露更多3D NAND技術細節，雖然仍採用傳統浮動閘極（floating gate）技術，但已實現32層堆疊層數，若採MLC規格可生產256Gb 3D NAND，若改成TLC規格容量可再放大到384Gb。美光／英特爾預計今年內可開始生產，將可讓M.2規格固態硬碟容量上看3.5TB，2.5吋SSD容量更可上看10TB。
英特爾認為SSD技術會隨著摩爾定律成長，在容量及效能提升的同時，單位成本及售價也會逐步下降，可以提供更快的存取效率及更大的儲存空間。業界人士分析，3D NAND今年可說是起飛年，明年四大廠開始拉高3D NAND投片量進入量產後，SSD市場滲透率將快速衝高。
包括東芝／新帝、美光／英特爾等兩陣營，今年下半年均開始小量生產3D NAND，由於四家業者主要後段代工廠都是力成，因此隨著3D NAND的產能逐步放大，力成將可承接後段封測代工大單。此外，因四家業者量產3D NAND的目的就在於擴大SSD出貨，力成已完成NAND Flash到SSD的完整封測代工產能建置，可望成為3D NAND市場快速起飛下的最大受惠者。