電子工程專輯20100902
惠普(HP)近日宣佈與韓國業者海力士(Hynix)簽署合作研發協議，旨在將憶阻器(memristor)技術商業化；這兩家公司將共同開發新的材料與製程整合技術，好將HP的憶阻器技術由研發階段，推向以電阻式隨機存取記憶體(resistive random access memory，ReRAM)形式呈現的商業化開發階段。
HP表示，雙方的合作並非是排他的，該公司也有可能與其他廠商在 ReRAM 領域合作；而HP資深院士暨HP資訊與量子系統實驗室創始總監Stan Williams表示，該公司本身並不打算涉足ReRAM 業務。他在接受EETimes美國版採訪時透露，未來HP期望將ReRAM運用在自家產品中，但目前尚不能公開是哪種產品。
Williams指出，在初期，HP將與Hynix在晶片方面進行合作；接下來，HP期望將合作範圍擴及其他記憶體廠商。他表示，這將讓產業界能以具競爭力的價格買到ReRAM。
Hynix將在自有實驗室進行憶阻器的實作；該公司在記憶體技術方面是多方下注，目前也涉足其他競爭性記憶體技術的研究，包括與三星電子(Samsung Electronics)共同研發 MRAM 技術，以及與Grandis合作研發一種稱為「自旋轉移力矩隨機存取記憶體(spin-transfer torque RAM)」的新一代MRAM技術。
ReRAM與FeRAM、MRAM還有相變化記憶體(phase-change memory)，都是新一代的記憶體技術；根據HP的介紹，ReRAM是一種低功耗的非揮發性記憶體，具備取代快閃記憶體的潛力，此外也有機會用以做為通用儲存媒介──也就是能扮演目前快閃記憶體、DRAM甚至是硬碟機等儲存裝置的角色。
Williams表示，採用ReRAM的終端產品預計在2013年底問世：「這是一種黑馬級的技術，我認為它將會脫穎而出。」HP與Hynix尚未定義出將採用ReRAM的第一批終端產品，但Williams認為，該種記憶體技術是固態儲存、PC主記憶體與其他產品的理想選擇。
(參考原文： HP, Hynix to commercialize the memristor ，by Mark LaPedus)