DRAM後市看俏
中央社記者張建中新竹5日電 (2011-04-05 10:02)
動態隨機存取記憶體（DRAM）產品價格1月落底，2、3月逐月攀升，展望未來，國內外DRAM廠一致看好DRAM後市表現。
DRAM市場去年第4季因需求疲弱不振，加上DRAM廠製程推升效益顯現，產出持續擴增，市場嚴重供過於求，產品價格慘跌5成，國內DRAM廠全數面臨虧損窘境。
今年1月除因傳統淡季效應外，英特爾晶片組瑕疵問題，也影響個人電腦出貨，致DRAM市場需求持續疲軟，衝擊DRAM價格進一步破底。
根據市調機構集邦科技調查，1月下旬DDR3 2Gb顆粒現貨均價最低曾達1.76美元，合約均價也達1.84美元，已逼近DRAM製造廠的變動成本。
不過，隨著國內外DRAM廠紛紛決定將產能移轉生產行動記憶體等產品，在未來供給可能減少，產品價格下跌空間有限的預期，加上電腦內建DRAM容量回升帶動下，讓DRAM價格在1月順利落底。
隨後在市場回補庫存，及日本發生大地震，進一步帶動2、3月DRAM價格逐月攀升；國內DRAM廠南科即在2月調漲產品價格1%至3%，3月再調漲產品價格3%至5%。
展望第2季，隨著英特爾晶片問題解決，個人電腦恢復正常出貨，且個人電腦代工廠開始針對歐美返校需求備料，尤其，日本大地震恐將造成矽晶圓等原料短缺，各界一致看好DRAM後市。
美國記憶體大廠美光（Micron）即預期，DRAM與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）可望逐步走出谷底。韓國記憶體大廠海力士（Hynix）也預期，記憶體市場將自第2季開始復甦，轉趨供需平衡。
集邦科技估計，信越化學福島白河廠與SUMCO山形米澤廠因地震停工，恐將影響全球矽晶圓產能減少20%至25%，預期第2季DRAM合約價可望較第1季揚升20%至25%。
南科也表示，日本地震衝擊矽晶圓供應程度比預期嚴重，產業恐將面臨缺料窘境，部分客戶已開始憂心第2季DRAM供應恐將減少，積極備貨。
南科因而計劃4月再調漲產品售價，漲幅將高於3月的3%至5%，估計第2季產品價格可望較第1季上漲1成以上水準。
國內另一DRAM廠力晶科技也因看好DRAM後市，決定改取被動銷售策略，以保留合理庫存。