國研院攜手旺宏 開發新型3D記憶體
人工智慧（AI）晶片效能決定在HBM高頻寬記憶體，國研院台灣半導體研究中心與旺宏電子合作開發新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體（3D DRAM），具體積小、高頻寬、能耗低、耐用高等優勢，能源消耗量較現有記憶體減逾百倍，規模量產則估要五到十年。

隨AI運用漸廣，AI晶片需求大幅增加，也帶動對記憶體的需求，國研院指出，傳統記憶體已達密度上限，效能有限，記憶體廠商都轉向研發3D堆疊記憶體，增加記憶體密度，提高效能。

國研院台灣半導體研究中心主任侯拓宏表示，日美韓等大廠都在研發3D堆疊記憶體，該中心和旺宏合作使用無電容設計，可大幅縮小元件尺寸，還能省電，以兩顆氧化銦鎵鋅（Indium Gallium Zinc Oxide IGZO）電晶體串聯而成，可縮小體積，並提升資料儲存空間進而省電，且在3D堆疊時更緊密，透過旺宏專利技術大幅減少製程步驟並降低成本，解決過去記憶體讀寫速度慢、耗能高的缺點，技術比現行HBM高頻寬記憶體更進步。

台灣半導體研究中心元件技術組研究員楊智超表示，這次開發的新型高密度高頻寬3D記憶體技術讓台灣躋身世界領先研發團隊；侯拓宏指出，該技術若要規模量產，預估要五到十年，但該技術研發與產官合作，可確保我國在半導體產業持續保持領先地位。