35371
新技術導入 封測角色更吃重
2009-10-14 工商時報 【涂志豪／台北報導】
趁著DRAM價格直線飆漲之際，全球DRAM廠已展開50奈米微縮大作戰，新製程與過去相較最大的不同，就是DRAM將首度導入浸潤式微影（immersion lithography）及銅製程導線（copper interconnect）等兩大新技術。
由於技術世代交替，後段封測技術也跟著轉換，過去佔DRAM成本低於10％的封測製程，在50奈米世代將提升到15％至20％，如力成（6239）、華東（8110）、福懋科（8131）等封測廠角色將更為吃重。
高階邏輯晶片市場今年出現65/55奈米製程世代交替風潮，封測製程同步轉換，帶動了晶片尺寸覆晶基板（FCCSP）市場正式起飛，景碩、欣興、全懋等基板廠業績大好，也因此讓封測成本佔晶片總成本的比重，由過去的低於20％一下子大幅拉高到30％。而此一現象如今也發生在DRAM產業，主要原因就是DRAM廠製程將改用全新技術，才有辦法走到50奈米以下。
50奈米之所以成為DRAM廠最大的挑戰，一是微影技術將改為浸潤式製程，二是要將過去使用的鋁製程導線改成低介電（low-k）銅製程導線，這些都是過去20年DRAM廠沒用過的新技術，也因此，現在12吋晶圓廠中幾乎有逾半設備都要進行更換，除了需要大筆資金投入，也必需要求後段封測廠配合。
過去幾年70奈米及60奈米DRAM製程十分成熟，單顆晶片封測成本約0.3美元左右，但改成50奈米銅製程後，新一世代DDR3晶片植球數又增加至78球或96球，所以封測成本一下子就拉高到0.45至0.5美元。以50奈米投產1Gb DDR3的總成本約2美元來算，封測成本佔DRAM成本比重，已由過去10％以下，一下子拉高到15％至20％。
封測成本拉高，也有機會推動國際大廠擴大委外代工。目前只有爾必達將封測業務全數委外代工，海力士則僅釋出部份代工訂單，三星及美光都是在自有封測廠中完成製造，但因過去2年之中，三星及美光並沒有升級自有設備，所以未來委外代工機會大增，據業者推估，福懋科最有機會承接美光後段封測訂單，力成則有機會成為三星後段代工廠。