海內外建廠催速 台積AZ廠明年H2衝刺3奈米
張珈睿／台北報導
2026年3月24日 週二 上午4:10
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台積電
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AI算力需求持續爆發，供應鏈消息指出，全球晶圓代工龍頭台積電加速海內外擴產節奏，建廠時程全面壓縮。廠務業者透露，台積電美國亞利桑那州Fab21後續廠區進度正在提前，其中，P2廠最快將於2027年下半年量產3奈米，P3、P4廠之機電主系統裝機時程亦較原先規畫提前。法人看好，無塵室與機電工程成為工期縮短的核心關鍵。
廠務施作週期縮短，關鍵在於美國廠的學習曲線正在加速。供應鏈透露，過去海外建廠普遍耗時6個季度，如今可縮短至4至5個季度，施工效率大幅提升；仰賴台積電及其供應鏈在法規熟悉度提升、專案管理經驗累積，美國廠建置時間已由P1廠的3年縮短至1.5至2年，逐步接近台灣效率水準。
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台系廠務業者進駐後分工更加細緻，法人分析，包括漢唐、亞翔、洋基工程、聖暉等台廠扮演要角。已有部分業者配合客戶需求，於亞利桑那州投資建廠；業者透露，若客戶要求加速建廠，認列營收速度也會加快。
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供應鏈透露，為加速AZ廠進度，台積電規劃更多人力赴美支援，涵蓋無塵室機電、主系統與二次配系統等關鍵環節，以縮短施工瓶頸並確保進度可控。不過，台灣建廠動能並未因此放緩，將有更多台灣協力廠加入；據悉，2奈米以下的關鍵節點，新竹Fab20 P3與高雄Fab22 P3仍將於今年第三季開始裝機。
當前半導體產業瓶頸已不是製程技術推進，而是建廠速度影響結構性缺口；此外，不僅晶圓代工，包括記憶體、封裝與資料中心同步擴產，進一步放大廠務工程人力與施工能量的稀缺性。如美光就強調，無塵室空間不足加上新建廠的前置時間漫長，導致DRAM缺口無法短時間緩解。