精實新聞 2010-12-14 13:13:53 記者 朱楚文 報導
國研院奈米元件實驗室今(14)日宣布，已開發出9奈米功能性電阻式記憶體(P-RAM)陣列晶胞，容量比現行快閃記憶體增加約20倍，耗電量則降低約200倍，且此成果亦於本(12)月8日於美國舊金山電子元件重要會議IEDM正式發表，預計將於5-10年內進入量產規模，屆時將影響達兆元產值的全球記憶體市場，尤以DRAM及快閃記憶體於2015年可望進入全新時代，產值亦將加倍成長。
國研院奈米元件實驗室所開發的「9奈米超節能記憶體」是由何家驊博士帶領研究，此技術可望大幅簡化製程步驟與成本，達成數奈 米尺寸的記憶體元件，並大幅降低其耗電量，並一舉突破開發10奈米以下記憶體的技術瓶頸。
國研院奈米元件實驗室主任楊富量指出，該技術預計於5-10年內量產，而明年亦將與產學研界共同成立「16-8奈米元件聯盟」，加速CMOS元件與記憶體元件的技術開發。