DRAM現貨價創今年新高 DRAM族群連袂漲停
2009/04/23 12:07 中央社
市場預期心理激勵下，DRAM現貨價持續走揚，DDR2 1Gb eTT(有效測試顆粒)現貨均價達1.25美元，2天共大漲近1成，並創下今年新高；激勵DRAM族群今天持續連袂大漲。
市場庫存已有效去化，全球動態隨機存取記憶體(DRAM)製造廠持續減產，爾必達醞釀大幅調漲5月產品售價達5成，計劃將1Gb顆粒價格調高至1.5美元現金成本價位。
而在市場預期未來DRAM產品價格看漲情況下，帶動DRAM現貨價連日攀高，繼22日上漲逾6%後，DDR21Gb eTT均價今天再上漲3.81%，達1.25美元，創下今年新高價，近2日共大漲9.65%。
隨著產品價格不斷攀升，DRAM廠營運資金可望減少流出，減緩營運壓力，激勵DRAM族群今天股價續強，包括力晶 (5346) 等DRAM廠盤中全面漲停。