2024-12-25 11:01:04 記者 郭妍希 報導
韓媒傳出，中國記憶體領導製造商長鑫存儲(CXMT)雖已開始量產先進的DDR5記憶體，但良率可能僅有10~20%。
BusinessKorea 24日報導，半導體業界觀察人士相信，受到美國禁止極紫外光(EUV)微影設備等先進半導體裝置販售至中國影響，長鑫存儲生產DDR5的良率很可能只有10~20%。ASML執行長Christopher Fokker解釋，「中國在先進領域約落後10~15年。」

眾所皆知，中國已透過主動開發材料、元件等方式在地生產數種設備，但業界普遍認為，中國在降低成本、價格競爭力方面嚴重落後，主要是受到生產力與良率影響。一名業界消息人士指出，「雖然中國半導體廠安裝的設備外觀看來是美國製，但維修時置換的零件卻大多是本土產的仿製品。」

川普(Donald Trump)上任後預料會實施嚴厲的出口管制及高關稅來抑制中國DRAM產業。市場猜測，雖然拜登政府排除了長鑫存儲，但川普可能會將之納入制裁名單。

韓國半導體產業協會(Korea Semiconductor Industry Association，KSIA)執行董事Ahn Ki-hyun認為，三星電子(Samsung Electronics)須盡快瞄準長鑫存儲目前還無法挑戰的市場，南韓企業也需要快速轉換至第5代高頻寬記憶體「HBM3E」或第6代的「HBM4」。

朝鮮日報甫於12月19日報導，長鑫存儲轉型至DDR5的時間僅落後南韓四年。

中國儲存製造商金百達(KingBank)、光威(Gloway)已於12月17日推出容量32GB的DDR5產品。這些企業將DRAM晶片組裝成模組、供PC與伺服器使用，並以「內建中國製DDR5晶片」的廣告詞銷售。

金百達、光威雖未透露供應商，但線上產品文件表明，長鑫存儲是晶片製造者。業界內部人也確認，長鑫存儲已開始接洽潛在客戶、還聲稱良率多達80%，接近南韓對手的80~90%。

(圖片來源：長鑫存儲)

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