新冠肺炎疫情加劇，歐美再度封城，線上活動增加帶動DRAM需求加速成長。野村證券表示，明年第1季DRAM漲價確立，幅度上看3%至5%，且伴隨DDR5發展及EUV供不應求，DRAM產業將重啟2016至2018年超級循環；NAND行情也預期自明年下半年反彈，有利南亞科（2408）、華邦電、旺宏等台廠。




國內元大投顧日前發布半導體展望，同步預測明年DRAM廠位元供給成長17%，低於需求成長21%，對漲價評估更自第1季起全年都上漲。

看準漲價大行情，國際資金上周有四天都買超南亞科，投信連四買，法人持股比22.87%創下今年5月來新高。

野村表示，原本根據庫存去化速度，DRAM應自明年第2季起漲價，但近期PC伺服器需求好轉優於預期，加上漲價預期心理出現提前拉貨，主要DRAM通路庫存偏低，漲價行情將比預期早一季，幅度看漲3%至5%。

野村指出，DRAM市況比預期強勁，明年初漲價後，之後幾季有持續調漲可能，甚至重啟2016年至2018年的緊繃循環，主因數據運算需求提升以外，DDR5升級及EUV供不應求，恐進一步加劇供給吃緊；預測2021至2023年DRAM連續出現供給缺口，引爆超級循環。

外資法人分析，明年DDR5產品問市，滲透率預期快速提高，由於DDR5模組傳輸速率較DDR4成長50%，且工作電壓較低更具省電優勢，可望躍居HPC應用主流。

但DDR5矽面積更大，推升DRAM需求。

另一方面，三星規劃明年底量產1A奈米，必須使用EUV，但多數EUV設備被台積電包下，若缺乏充足產能，DRAM廠製程將拉長15%，長期供給縮限。

NAND方面，野村則預期，明年1、2季報價連續走跌，不過隨報價大幅下行及資本支出嚴謹擴張，第2季景氣將同步落底並自下半年起復甦。