鑫創通過虧損撥補案
2009-06-19 工商時報 【呂俊儀／台北報導】
鑫創（3259）昨（18）日召開股東會，由於去年受到Flash市場價格競爭影響，去年每股虧損2.98元，連第二年出現虧損，會中承認虧損撥補案。鑫創表示，去年是營運績效最差一年，但第一季已經轉盈，加上第二代SATA SSD控制IC量產，MEMS麥克風也已完成驗證，營收、獲利將可穩定成長。
鑫創97年營收4.42億元，年減18.99％，稅後虧損1.72億元，每股虧損2.98元，不過今年第一季順利轉盈，每股獲利0.18元。另鑫創昨日董監改選，原董監事全數留任。
鑫創去年下半年透過私募引進金士頓入股，加上已搶進東芝43奈米製程供應鏈，並推出可支援英特爾、美光34奈米製程NAND Flash控制IC，而Audio產品線部分，也推出新一代Class D驅動晶片、控制晶片等產品，今年將推廣第二條產品線。
另SSD部分，鑫創指出，在現有PATA控制晶片外，以投入第二代SATA SSD控制晶片研發預計今年可完成產品研發量產。而對於現有Flash控制晶片製程，也將由點0.18um、0.162um逐漸轉為0.13um及0.11um。
而MSMS部分，鑫創說，去年已通過經濟部科專計畫補助，目前已開發出MEMS麥克風雛形，預定明年推出單晶片數位MEMS麥克風產品。鑫創強調，隨NAND Flash進入新一代30奈米製程，加上更強大的偵/除錯能力需求，今年將持續以新產品拓展市占率。