半導體廠擴產 力成進補
1134054鉅亨網新聞中心2013-08-07 07:56:56
不讓南韓三星專美於前，日本半導體大廠東芝及美商晟碟（SanDisk）昨（6）日宣布，將共同斥資4，000億日圓（約新台幣1，221.2億元），於日本三重縣四日市興建儲存型快閃記憶體（NAND Flash）新廠，導入最新16至17奈米製程，使總產能提升20%，明年4月量產，為在台後段封測廠力成（6239）營運挹注成長動能。
這是三星在上月宣布調高今年半導體資本支出後，東芝近兩年來首度做出增產決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。
研究機構統計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球之冠，市占率37%；東芝排名第二，市占率31%。據了解，受惠日圓貶值，以及蘋果和大陸品牌下單量攀升，加上先前調節性減產，讓東芝NAND Flash已無法滿足市場需求，決定7月起開始增產。
稍早東芝表示，為確保NAND Flash次世代製程產品及3D記憶體的生產空間，將於旗下位於三重縣四日市第三座12吋NAND Flash廠「Fab 5」的第二期工程興建新廠，8月底動工興建，2014年夏天完工，但新廠工程的設備導入時間、量產時間、產能及生產計畫等細節，將視市場動向決定。
東芝的Fab 5第一期工程廠房由東芝投資興建，包括東芝和美商新帝（SanDisk）合資的NAND Flash生產線。隨著三星決定加碼擴產，將今年資本支出上修至24兆韓元，其中13兆韓元用於強化DRAM、NAND Flash及邏輯IC競爭力，讓東芝和晟碟決定加快建廠腳步。
【記者簡永祥／台北報導】
1134055
標的名稱權證代碼權證名稱價內/外%履約價到期日
力成065728凱基DQ 11.61價外61.6120140205
力成 04676P凱基EK9.86價外49.7620140109
力成 064078大華GF7.14價外59.1420131216
力成 063750大華FQ0.96價外55.7320131209
資料來源：鉅亨網