精實新聞 2011-02-11 15:05:59 記者 蔡承啟 報導
日本DRAM龍頭廠爾必達(Elpida)10日發布新聞稿宣布，該公司和台灣瑞晶電子(4932)已利用瑞晶R&D中心成功試作出採用4F2記憶格(Memory Cell)、65nm製程的1Gb DDR3 SDRAM，此將成為全球首款記憶容量達1Gb的立體型DRAM產品。
新聞稿指出，此次研發完成的4F2 Memory Cell為在矽基板上形成位元線(Bit-line)、文字線(word line)，並使用垂直(vertical)電晶體，實現了尺寸為2Fx2F(F為加工的最小尺寸)的Memory Cell，和現行6F2 Memory Cell相比，4F2產品的Cell尺寸可縮小約30%，且晶片尺寸及晶片取得數可媲美爾必達採用50nm製程的DRAM產品。
爾必達社長(土反)本幸雄指出，此次研發的4F2 Memory Cell，將成為研發20nm以下DRAM所不可或缺的強力基礎技術之一。據日本媒體產經新聞報導指出，爾必達計畫應用此次新研發的技術，於2011年度內(2012年3月底前)研發出採用40nm製程的立體型DRAM產品，並計畫於2013-14年度實用化。