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韓股:DRAM雙雄連袂破頂相助,KOSPI週五急彈2.27%,衝破4300點大關
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盤後分析
發佈於 2026-01-02 19:20
韓股:DRAM雙雄連袂破頂相助,KOSPI週五急彈2.27%,衝破4300點大關
財訊新聞 2026/01/02 15:11
【財訊快報/陳孟朔】去年勁揚75.63%、創下1999年(狂升82.78%)以來最旺年度的韓股,在2026年開市首日延續飆風,綜合股價指數(KOSPI)週五收高95.46點或2.27%,首度站上4300點關口至4309.63點,創新高。盤面由主流電子權值股領漲,三星電子大漲6.73%至12.85萬韓元創新高,為三十檔大型股(TOP30)第二旺,只輸給飆11.88%的製藥業者塞爾群。SK海力士漲3.83%至67.7萬韓元,為1999年9月28日以來最高,1999年9月9日締造的76.9萬韓元為上市新高。電子股大漲4.85%為十九大類股最旺所在。
韓系兩大DRAM業者三星電子與SK海力士已先行取得年度許可,台積電南京廠也順利獲批,顯示東亞三大半導體巨頭在中國的工廠面對美國出口管制政策變動時,已成功銜接新的法規要求。市場人士指出,先前三家公司均受惠於華府針對中國晶片出口限制的「經驗證最終用戶」(Validated End-User VEU)豁免權,但該特權已於2025年12月31日到期,使「合規銜接」成為資金重新定價的重要依據之一。
AI基礎設施投資潮把供應鏈拉向高附加價值的伺服器記憶體,帶動DRAM與相關儲存元件報價走升。業界人士表示,在新增產能難以快速開出下,上游成本上揚勢必逐步向下游傳導,終端品牌廠評估,今年智慧手機、PC到家電等消費電子產品售價,調升幅度可能落在5%至20%區間,漲價壓力並不易在短期內消退。
業界人士指出,數據中心為滿足AI訓練與推理需求,對高頻寬記憶體(HBM)與高容量儲存的拉貨強度持續升溫,晶圓與封裝資源因而向高毛利產品集中,使傳統DRAM等通用型產品供給相對吃緊。市場研究機構預估,包含HBM在內的DRAM均價在2025年第四季季比上漲約50%至55%,供需失衡推動報價中樞上移,亦成為本輪韓股電子權值股強勢的核心敘事之一。
十九大類股有高達十三類下跌,營建和電信股各跌1.75%和1.60%為兩大拖油瓶。
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