2015/10/21 15:48 時報資訊
【時報-記者柯婉琇綜合外電報導】繼南韓三星電子領先全球同業，於去年10月量產3D NAND快閃記憶體晶片後，日本東芝與美國新帝亦加快追趕腳步，於周三共同宣布東芝位於四日市廠區的新2廠已於10月開始裝機，預計於明年首季投產，兩家公司將攜手轉進3D NAND快閃晶片的生產。
東芝與新帝宣布雙方已簽署最終合作協議，將共同在新2廠生產3D NAND快閃記憶體，並將共同投資該廠。根據自身的需求，兩家公司將各自決定切換至3D NAND快閃記憶體的幅度與時間點。
東芝四日市新2廠於去年9月進行改建，以配合該廠區從2D NAND快閃記憶體轉進3D NAND晶片的策略。
東芝資深副總暨半導體事業執行長Seiichi Mori表示，東芝與新帝期待在新2廠共同打造3D快閃記憶體晶片BiCS FLASH。新帝表示執行長Sanjay Mehrotra則表示，這些協議為新帝與東芝無縫切換至3D NAND時代的成功合作鋪平道路。