III-V族半導體磊晶廠－F-IET(英特磊)(4971)第2季業績可望創下單季新高，且公司以高分子磊晶技術(MBE)著稱，產品具獨特性，下半年業績可望優於上半年，激勵今天股價逆勢強攻漲停板。
F-IET主要業務為III-V族化合物半導體磊晶片專業代工生產，生產基地主要位於美國德州。由於III-V族半導體具有高頻、低雜訊、高效率及低耗電等特性，可應用在無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商業用途，以及在太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品上，而F-IET所生產的產品包括砷化鎵高頻磊晶片(GaAs pHEMT)、磷化銦高頻磊晶片(InP HBT)、銻化鎵紅外線磊晶片(GaSb， T2SLS)、以及光電磊晶片用於面射型雷射(VCSEL)與光接收器(PIN， APD)，產品具獨特性，讓F-IET受到市場矚目。
由於F-IET是「III-V族化合物磊晶供應商」，並非砷化鎵磊晶廠，客戶也以國際大廠為主，包括：美商安捷倫(Agilent)、射頻元件廠Skyworks、TriQuint，砷化鎵代工廠－穩懋(3105)，韓廠Samsung、日本光電元件廠住友(Sumitomo)與三菱(Mitsubishi)等，同時也與美國太空總署NASA合作，供應太空應用等級的銻化鎵磊晶，讓公司過去3年業績呈現穩定成長，近3年營收為3.82億元、5.52億元、5.58億元，隨著高毛利率銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)比重提昇，毛利率也從36.1%一路提昇至42.5%，每股盈餘從2.91元、3.59元到去年的4.53元，表現相當亮眼。
F-IET上半年合併營收為3.02億元，較去年同期成長15.34%，其中第2季業績可望創下單季新高，公司預估，下半年業績會比上半年好，今年營收及獲利將優於去年，法人預估，F-IET今年每股盈餘有機會超過5元。