2011.12.05 02:24 am
三星、東芝及美光進入儲存型快閃記憶體（NAND Flash）三雄爭霸戰，美光科技與英特爾合資IM Flash（IMF）公司本周四（8日）將在台發表新產品。法人看好，未來美光可望擴大南科（2408）及華亞科合作，迎戰三星。
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圖／經濟日報提供
全球記憶體大廠美光NAND事業部行銷總監凱巴克（Kevin Kilbuck）8日專程來台發表與英特爾合作的最新採用20奈米製程技術產出的128Gb高容量儲存型快閃記憶體，同時說明美光未來在NAND Flash產品布局。
這是三星今年第三季宣布20奈米製程產出NAND Flash 後，另一陣營跨入20奈米製程，三星宣布預定明年下半年NAND Flash製程推進至10奈米製程後，美光已加速製程推進腳步；東芝甚至關閉三座類比晶片，將資源投注NAND Flash 研發；旺宏也計劃明年跨入高容量NAND Flash量產。
由於時機正值合作夥伴南科與爾必達正針對DRAM專利鬧的不可開交，美光高層這次來台，是否會暗助南科反擊；或進一步將快閃記憶體的技術，轉移給合作夥伴南科，使其脫離DRAM產業困境，或是擴大取得華亞科技股權，掌握龐大產能作為NAND Flash生產基地，已引起市場關注。
美光稍早透露，泰國洪災造成硬碟缺貨及智慧型手機、平板電腦熱賣，讓NAND Flash需求強勁成長，筆記型電腦所需硬碟缺貨，正好讓固態硬碟（SSD）取代；不少筆電廠推出超輕薄筆電，也推升SSD應用，不過SSD價格仍高，要將市占推升逾二位數，還需一段時間。
根據集邦科技旗下研究機構DRAMeXchan統計，截至今年前三季，全球NAND Flash市占排名，三星以37%居冠、東芝31.6%居次，美光和英特爾合資的IMF排名第三，市占為29.1%；海力士市占為11.8%，居第四。
業者透露，智慧型手機、平板電腦及超輕薄筆電等擴大NAND Flash需求，也加深各主要記憶體大廠的戰火。