三星押3D、SK海力士攻架構、美光拚系統整合

• 2026.09.02 
 工商時報  

記憶體示意圖。圖／本報資料照片

記憶體三雄三星、SK海力士與美光，1日在SEMICON Taiwan 2026記憶體高峰論壇中，不約而同把AI記憶體競爭，拉高至「系統架構」層次。
三大廠認為，記憶體已不再只是儲存元件，競爭焦點也從容量、速度及製程微縮，延伸至3D整合、資料搬移效率、先進封裝及整體系統共同最佳化。
三星電子記憶體產品規劃部門副總裁崔璋石表示，三星將以「CUBE」策略推動3D記憶體，從容量、利用率、頻寬及效率四大面向突破AI瓶頸，並布局HBM5、zHBM及zNAND-O。
三星今年5月開始出貨12層HBM4E樣品，每顆GPU搭配4個HBM4E堆疊時，最高可提供每秒16TB頻寬；下一代HBM5則設定較HBM4E提升2倍效能、每瓦效能增加20％，熱阻降低20％。
更具突破性的是zHBM，將記憶體直接垂直堆疊於處理器上方，大幅縮短資料傳輸距離。相較HBM4E，效能最高可提升8倍、每瓦效能提高3倍，熱阻降低75％至90％。
三星也把3D整合延伸至NAND快閃記憶體，提出zNAND-O，透過垂直堆疊NAND並與神經網路處理器整合，鎖定裝置端AI，位元密度可達DRAM的10倍，讀取頻寬為傳統NAND的7倍，規劃2028年推出樣品。
SK海力士則把焦點，放在降低資料搬移，並重新設計AI記憶體架構。
SK海力士資深副總裁Hoshik Kim指出，AI時代真正大量耗能的不是運算，而是資料在記憶體與處理器間來回移動，因此，正由「把記憶體搬近運算」，逐步走向「把運算搬近記憶體」。
Kim指出，HBM4開始以邏輯製程打造基礎晶粒，底層已有記憶體控制器及實體層介面，未來可加入更多算力，使HBM由單純高頻寬記憶體，朝近記憶體處理平台演進。
美光則提出「從矽晶片到系統」的整體最佳化。美光企業副總裁Mark Kiehlbauch指出，從邊緣AI到超大規模資料中心，資料的移動、儲存及存取效率，正成為影響AI效能、功耗及成本的關鍵。
單靠製程微縮已不足以解決記憶體瓶頸。他認為，必須同步整合DRAM、NAND及HBM，並結合先進製程、封裝與系統架構，從元件層一路延伸至系統層共同最佳化。
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