英特爾宣布1.8奈米上半年試產 領先台積電？
由於英特爾的晶片設計和代工業務面臨越來越大的壓力，可能危及公司的未來，其即將推出的18A製程的成功至關重要。英特爾宣布18A製程（1.8奈米）已為第三方客戶「做好準備」，並將於今（2025）年上半年開始完成設計試產，領先台積電2奈米年底的試產規劃。

隨著英特爾完成其最新的半導體製程，2025年將成為該公司努力使代工部門合法化，並重新獲得與台積電和三星的競爭力的決定性一年。

18A最重要的創新之一是透過PowerVia進行背面供電。透過將粗間距金屬和凸塊移至晶片後部，並實現奈米級矽通孔，英特爾旨在將ISO功率性能提高4%，並將標準單元利用率提高5%至10%。

另一個關鍵進步是RibbonFET，這是英特爾對環柵電晶體技術的看法，這種設計可以對電流進行更精細的控制，減少漏電。隨著晶片變得越來越小、越來越密集，這是一個越來越關鍵的挑戰。

台積電也為其2nm N2製程準備全閘極架構解決方案，但預計要到2025年底才會開始批量生產，該產品將於2026年首次亮相。