DRAM廠南亞科 （2408） 董事會昨決議，今年資本支出預算由原年初通過的92億元再追加65.6億元，增幅逾７成，共計157.6億元，較去年的55億元高過百億元以上，以用來建置自主研發的10奈米製程試產線，第一代產品預計下半年試產。
南亞科從成立以來，每代製程都向國外大廠技術授權，目前量產的主力製程20奈米技術來源為美光；10奈米DRAM新型記憶體生產技術，南亞科改自主研發，第一代的10奈米產品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5，將建構在自主製程技術及產品技術平台，涵蓋消費型、低功率與標準型產品，預計今年下半年陸續進入產品試產。
因應10奈米級製程研發及試產，南亞科董事會原於2月26日通過今年度資本支出預算案，金額以不超過92億元為上限，董事會昨決議追加65.6億元上限的資本支出預算，共達157.6億元，增幅逾７成，並較去年的55億元高過百億元以上。