隨著半導體大展登場，外資也聚焦IC設計相關產業，巴克萊證券分析IC設計產業後市，今年積極布局4G的聯發科（2454），受到中國IC廠商競爭威脅加劇，由於台積電（2330）其中國IC設計客戶已從28奈米直接轉進16奈米FinFET等製程，跳過20奈米，對台灣以聯發科為首的前5大IC設計廠都將帶來壓力。
聯發科明年需跟進
聯發科64位元4G智慧手機晶片方案、穿戴平台以及人機介面的指紋辨識逐步到位，成功縮短與競爭對手高通的差距，但面對中國有意扶植上游半導體和IC（Integrated Circuit，積體電路）設計廠的相關政策出爐，外資和IC Insights專家關注聯發科與中國廠商轉進先進製程速度的差距。
巴克萊證券指出，根據與會的IC設計廠商等專家調查，中國IC設計廠的客戶多數從28奈米Poly SiON 和HKMG後閘極製程(gate-last)技術後，跳過台積電的20奈米，直接轉進16奈米FinFET（鰭式場效電晶體）/FinFET+製程。
巴克萊證券說明，中國IC設計廠商搶進先進製程的策略，讓中國廠商如海思、展訊、瑞芯微、全志威脅性加劇，如果聯發科無法在2015年底前轉進16奈米FinFET+製程，恐對聯發科2016年帶來影響，也連帶將使未來前5大台灣IC設計廠商，面對中國廠商加速先進製程的壓力顯現。
在4G新產品及產業後市方面，花旗環球證券表示，中國手機品牌廠商華為、聯想、TCL、酷派、中興及小米等，在下半年總計推出超過100款4G行動終端新產品，因此高通仍在4G LTE晶片市佔中享有主要優勢，加上展訊在3G多核心晶片方案已進攻印度、東南亞等市場，加上展訊4核心晶片有相當的競爭力，因此聯發科未來不僅在4G市佔率，甚至具備相當優勢的3G市佔率，都須嚴加戒備，避免市佔流失。