2026/09/04 18:04

   
中國記憶體大廠長鑫存儲被控竊取三星DRAM核心技術。示意圖。（路透）
〔財經頻道／綜合報導〕中國記憶體大廠長鑫存儲被控竊取三星DRAM核心技術，1名從三星電子跳槽協助創辦長鑫存儲的工程師日前在法庭上作證時坦承，長鑫創立初期就鎖定三星製程資訊，竊取三星核心製程資料。南韓專家示警，遭拿走的不只是涵蓋約600道製程順序、設備及條件的核心資料，更包括三星耗費約5年、投入1.6兆韓元（約台幣368億）才累積的寶貴試錯經驗。
長鑫存儲近年快速崛起，三星電子DRAM技術外洩案也持續在韓引發討論。曾任職三星電子並跳槽協助創辦長鑫存儲的全姓工程師，日前於首爾中央地方法院出庭作證時坦承，長鑫存儲高層 2016 年創立起便無意自研，而是竊取三星核心製程資料。涉案外洩的技術為三星 18 奈米級 DRAM 製程，詳細記錄生產過程 600 道製程步驟及關鍵設備條件。
對此，南韓法律專家示警，長鑫取得的不只是三星投入鉅資研發的技術，更可能省下競爭對手最難複製、也最無法用金錢衡量的「試錯時間」。
韓媒《Edaily》刊登律師事務所顧問、首爾大學教授孫承宇（音譯）的評論指出，長鑫成立於2016年，短短10年間便躍升全球DRAM市場重要競爭者，其快速成長背後，也包括從外部取得領先企業長年累積的技術、人才與時間。
根據南韓檢方調查及法庭證詞，長鑫成立不久後，於2016年延攬三星電子核心研究人員，並取得三星18奈米級DRAM製程綜合流程文件（PRP）。這份文件宛如半導體「製造配方」，涵蓋約600道製程的先後順序、設備及製程條件等關鍵資訊。
涉案研究人員被指在離職前，將核心資料抄寫在12頁筆記中帶走，長鑫取得相關資訊後，再依照自身生產環境進行修改及驗證，並於2019年成功量產DRAM。涉案三星前員工今年4月一審遭判處7年徒刑。
孫承宇指出，三星為開發相關技術投入約1.6兆韓元（約台幣368億），研發時間長達約5年，但技術外洩真正造成的損失，不能只用研發經費計算。
半導體製程必須經歷反覆實驗、失敗、改善良率及調整設備條件，才能逐步成熟。雖然不能直接斷言長鑫取得三星技術後，就等於完整省下5年研發時間，但從一開始就掌握經過驗證的600多道製程條件，與完全從零摸索有巨大差別。
他形容，真正被帶走的是「無法用金錢衡量的試錯時間」。若一家缺乏相關技術與研發基礎的半導體企業從零開始，所需時間甚至可能比三星當初投入的5年更久。
因此，孫承宇也質疑，面對如此龐大的技術外洩損害，7年徒刑是否足以形成嚇阻效果。他主張，未來量刑除了研發成本，也應將外洩技術的經濟價值、競爭對手因此節省的研發時間與成本、受害企業損失的市占率，以及犯罪者取得的利益納入考量。
他並警告，一旦外洩技術真正進入海外生產線，即使數年後對涉案者判處重刑，也很難挽回損失，因此南韓有必要建立制度，在技術成為競爭對手產品前就禁止使用，避免過去顯示器產業遭競爭者追趕甚至逆轉的情況，再度於半導體產業上演。