格棋攜手普渡大學深化SiC技術合作 搶攻AI與電動車

• 2026.05.29 
 
• 18:25 
 
• 工商時報  李娟萍

• 格棋
• 普渡大學
• 碳化矽
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第三類半導體材料廠格棋化合物半導體（GCCS）宣布，董事長熊觀明率團赴美國，與Purdue University簽署碳化矽（SiC）技術合作協議，雙方將共同推進SiC材料、晶體成長及高功率應用技術發展，布局AI基礎建設、高效能運算（HPC）、電動車、先進電力電子及5G、6G通訊市場。
格棋表示，此次合作將聚焦SiC長晶技術、先進材料分析、缺陷控制、晶圓品質提升及大尺寸晶圓平台開發，藉由結合普渡大學在半導體與材料工程領域的研究能量，以及格棋在SiC長晶與晶圓製造經驗，提升大尺寸SiC晶圓品質與量產能力。
董事長熊觀明指出，AI與高效能運算帶動高功率半導體需求快速成長，SiC材料重要性持續提升。未來格棋將持續深化6吋至8吋SiC晶圓技術，並加速產品商業化與國際客戶布局，強化台灣第三類半導體材料供應鏈自主能力。