力晶(5346)董事會通過，明年資本支出暫定為160億元，比今年上修後的200億元減少約兩成；為配合資金需求，力晶決議將重新申請發行海外存託憑證（GDR）。
力晶今年下半年轉進63奈米製程，預計年底前全部轉進，原訂今年資本支出約130億，但為因應開始導入40奈米製程，先前已提高今年資本支出至約200億，第一台浸潤式曝光機台將於第四季進廠安裝，明年第一季起開始導入45奈米製程以降低成本。
為因應明年加速轉進45奈米製程，力晶明年資本支出暫定為160億元。此外，力晶先前提出發行上限8億股GDR，遭主管機關退件，力晶將重新申請發行GDR上限維持8億股。
力晶自結今年第三季單季營業淨利32.26億元，比上季減約35%，稅後淨利為19.36億元，每股稅後純益為0.34元。前三季EPS為2.22元。
法人評估，若加上轉投資瑞晶(4932)收益後，力晶今年EPS預估達2.9元。但明年DRAM價格預估比今年下滑，且力晶將面臨45奈米製程轉移的陣痛期，獲利將比今年大幅縮減。