三星跳電 DRAM價格衝上雲霄
2010-03-27 中國時報 【王宗彤／台北報導】
受到韓國記憶體大廠三星(Samsung)跳電影響，DRAM現貨價噴出飆漲，DDR2昨最高攻至3.1美元，再創新高，本周累積大漲逾1成，DDR3同步創下3.1美元新高，價格創高，對DRAM廠本月營收大增，4月亦不看淡。
跳電的影響除了雙主流規格的DDR2、DDR3持續走揚，利基型的記憶體也是強勁補漲。三星的跳電問題讓DRAM、NAND Flash報價應聲上揚，據集邦科技報價顯示，DDR3、DDR2 1G現貨價全數站上3美元，跳電直接影響的DDR當天更大漲7%；NAND Flash也受到激勵，最大漲幅逾6%。
而DRAM現貨價持續不斷創新高，力晶(5346)本月營收可望挑戰元月營收以上的水準，再創新高紀錄，隨著本月DDR2現貨價大漲逾30％，以合約市場為主的南科(2408)下月合約價仍有一成以上的調漲空間，而茂德(5387)、華邦電(2344)等也受惠利基型的DDR價格大漲，營收也可望獲得挹注。