全球第一家 三星宣布量產PRAM 權五鉉：未來將取代NOR Flash
鉅亨網記者葉小慧 台北
2009 / 09 / 22 星期二 19:40
三星 (005930-KR；Samsung) 半導體社長權五鉉今(22)日在第三屆三星行動解決方案論壇上宣布，已開始正式量產 512Mb相位變化隨機存取記憶體晶片(PRAM,phase change random access memory)。權五鉉對媒體表示，三星為全球第一家將PRAM推向市場的公司，PRAM兼具高效能及低耗電特色，目前已與客戶合作，未來可望逐步取代NOR Flash。
三星指出，高密度及高效能是智慧型手機最主要的技術要求，但這兩種特性都會使耗電量大幅增加，而PRAM大幅簡化了資料存取的邏輯，對DRAM的支援仰賴程度較低，因此其用電效率極高。在使用PRAM的情況下，手機電池的使用時間將可延長 20%以上。
三星表示，這種 512Mb PRAM 能在80毫秒內消除64KW(千字單位)，速度比 NOR快閃記憶體要快上10倍；而在大小為 500萬位元組(MB)的資料段落中，PRAM消除及重寫資料的速度，也要比NOR快閃記憶體快上 7倍。
三星這項第一款PRAM產品是運用60奈米級技術生產，而這也正是目前用以生產 NOR快閃記憶體的技術。至於未來的新世代PRAM，則將採用更先進的技術節點製造，以加速產品的商業化應用