手機升級競賽 半導體廠進補
2013-07-10 01:20 工商時報 記者涂志豪／台北報導
全球最大半導體設備廠應用材料董事長暨執行長麥可‧史賓林特
看好行動裝置晶片需求，認為手機廠間的競爭帶動升級需求，
有利於半導體廠及設備廠的接單，
並預期晶圓代工及NAND Flash的資本支出將持續增加。
同時，應材也宣布推出支援20奈米的高效能電晶體磊晶新技術，
可提升行動裝置ARM應用處理器的運算。
應用材料本周在美國舊金山舉辦分析師日，
麥可‧史賓林特（Mike Splinter）
以「行動領導力的戰爭」（The War of Mobility Leadership）
為今年主題並發表專題演說，看好今年行動裝置的強勁需求，
將成為半導體市場最大成長動能。
麥可‧史賓林特指出，2006～2008年間，
平均每年前段晶圓製造設備市場達300億美元，晶圓代工廠占比僅11％，
但2010～2012年間，每年市場規模放大到325億美元，
晶圓代工廠支出占比已拉升到36％。預期2013～2016年間，
每年設備市場規模將來到320～350億美元新高，
晶圓代工廠占出將再上升到42％，NAND Flash廠占比將達20％。
他表示，智慧型手機及平板電腦等行動裝置的銷售量快速成長，
不僅帶動半導體市場需求，也刺激半導體廠擴大資本支出，
而行動裝置廠商間的激烈競爭，帶動硬體升級風潮，
預期晶圓代工廠、NAND Flash廠將增加支出因應需求成長。
隨著半導體製程今年下半年開始微縮至20奈米以下，
明年將加速轉進16/14奈米鰭式場效電晶體（FinFET）世代，
應材也推出可應用在下世代行動處理器中高效能電晶體磊晶新技術。
應材指出，下世代行動處理器晶片中，能否有速度更快的電晶體，
取決於N型金屬氧化半導體（NMOS）中新的磊晶製程。
N型金屬氧化半導體磊晶技術能以約當提升半個裝置節點效能，
且不增加斷態能量損耗的情形下，提升電晶體速度。
應用材料以10年來在磊晶技術的領導之姿，
推出以Applied Centura RP磊晶設備為基礎的NMOS電晶體新應用。
這項能力帶動業界將磊晶技術向前躍進，促使磊晶能在20奈米時，
從原來P型金屬氧化半導體（PMOS）延伸到N型金屬氧化半導體，
協助晶片製造廠建置更快速的裝置，精進下世代行動運算力。