台灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）今（5）日開幕，18吋晶圓成為市場焦點，台積電(2330)營運副總經理王建光昨（4）日出席半導體展前記者會時表示，台積電已做好導入18吋晶圓規劃，預計2018年量產，屆時導入的技術將以10奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程為主。
共同出席的台積電研發副總林本堅則指出，台積電20奈米已快量產，16奈米FinFET製程開發依計劃進行，接下來的10奈米FinFET製程希望可以導入新一代的微影技術，除了極紫外光（EUV）方案外，多重電子束（Multi E-Beam）仍是台積電的選項之一。
包括英特爾、台積電、三星、IBM、格羅方德（GlobalFoundries）等全球5大半導體廠，今年初已決定共組全球18吋晶圓聯盟（G450C），王建光表示，今年是推動18吋晶圓元年，也是令半導體業者感到興奮的一年，G450C結合了全球半導體大廠的資源，將以最經濟也最有效率的方式，為18吋晶圓制定出新的標準，期望未來18吋晶圓導入量產後能「一槍中的」。
對台積電來說，跨入18吋晶圓仍需要時間。王建光表示，2014～2015年時應可完成設備規格制定，預計2015年初，設備商就能提供測試設備（demo tools），而2016～2017年將開始建立試產生產線（pilot line），並建立起上下游的供應鏈，若一切順利，台積電在2018年就能夠以18吋晶圓投入量產。
在微影技術部份，台積電日前已決定加入微影設備大廠荷商艾司摩爾（ASML）的「客戶聯合投資專案」，總投資金額高達11.14億歐元（約新台幣407億元），包括取得ASML的5％股權，並加入極紫外光（EUV）及18吋晶圓設備的研發計畫。
林本堅表示，台積電的技術藍圖有些變動，28奈米之後的20奈米已經接近量產，再接下去的16奈米，將是台積電首度導入3D架構的FinFET電晶體製程，再進行微縮後就是10奈米FinFET。
林本堅表示，由於EUV技術尚未成熟，16奈米及10奈米仍然會用到浸潤式（immersion）的微影技術，10奈米以及之後的7奈米，則會導入新一代的微影技術，目前除了EUV之外，多重電子束也是考量的方向。