2026-10-27 15:59:40 李宜秦 發佈
光鼎(6226)今(27)日舉行法說會，公司表示，今年IGBT及碳化矽(SiC)MOSFET功率半導體新事業已有部分產品獲得客戶認證，並開始取得訂單，明年將進一步加大行銷及產品驗證資源投入，積極拓展AI資料中心、儲能及電動車等應用市場，期望逐步提高高附加價值產品比重，帶動營運轉型。

光鼎積極佈局功率半導體事業，今年已有部分客戶完成產品認證並開始下單，明年將加強市場推廣及客戶驗證，協助產品導入終端設備。光鼎功率半導體產品涵蓋IGBT及SiC MOSFET，應用鎖定AI資料中心伺服器電源、備援電池系統(BBU)、高功率電源供應器，以及不斷電系統、儲能、充電樁及工業設備等領域。目前中國連雲港廠已具備相關產品研發與生產能力，未來將持續強化產品可靠度、交期及成本競爭力，擴大客戶導入機會。

光鼎既有LED業務則持續面臨中國供應鏈競爭壓力，公司正由傳統LED封裝逐步轉向高功率LED模組、智慧光模組及功率半導體等產品，並透過客製化與模組化服務改善產品組合。目前LED產品仍以SMD為主，占比約四成，Display LED約占25%，其餘包括插件式LED、紅外線元件及模組等。

海外市場布局上，光鼎明年將把更多資源投入美國及印度市場，主要考量中國市場需求復甦力道仍不明朗。公司目前在中國連雲港及緬甸仰光設有生產據點，並於台灣、中國、美國及印度配置業務團隊，未來將結合各地製造成本與市場需求，推動LED及功率半導體業務成長。

光鼎今年第二季營收1.75億元、年增約13%，營業虧損377.9萬元，較去年同期收斂，稅後淨利242.3萬元，每股盈餘0.02元；上半年營收3.27億元、年增約5%，營業虧損1,343.8萬元，稅後淨利357.9萬元，每股盈餘0.03元，較去年同期轉盈。

（圖／資料照）