華邦電:DRAM缺口 大到不曉得怎麼補
記憶體廠華邦電（2344）昨召開法說會，總經理陳沛銘指出，AI應用持續帶動前所未有的記憶體需求，DRAM缺貨將持續，尤其DDR4供應缺口大到「不曉得怎麼補起來」，預期今年記憶體價格將逐季上漲，加上下半年有新產能開出，公司營收與獲利將持續向上，他並對2027年展望樂觀。

華邦電積極進行產能擴充，董事會昨核准資本支出預算46.81億元，其中24億元預計作為台中廠擴充NOR／NAND快閃記憶體產能，月增一萬片，第三季投片與產出，快閃記憶體全年位元出貨年增約30%~40%。

全年資本支出421億元，台中廠部分DRAM產能已移至高雄廠，預期今年DRAM的出貨量將成長近100%，第二季漲價幅度跟第一季差不多，下半年漲價即使趨向平緩，業績也將逐季向上。

陳沛銘指出，華邦電高雄廠擴產預計2027年大量產出；第一批高階機器預計今年5至6月裝機，以擴充16奈米產能，重點產品含8Gb/16Gb DDR4與8Gb LPDDR4，預計可支撐未來數年產品線，後續將努力推升16奈米製程良率，希望朝90%以上邁進。

SLC NAND快閃記憶體 更缺
他說，DDR4目前供應缺口巨大，「不曉得怎麼補起來」，儘管華邦電正在擴產，預期缺口將持續一段長時間，SLC NAND快閃記憶體因缺口更大，漲幅甚至超過DRAM。

華邦電昨公告去年財報，去年第四季毛利率41.9%，營業利益率15.4%，雙率較前一季降低，單季稅後盈餘34.22億元，季增479%、年增4070%，每股稅後盈餘0.76元，創14季以來新高，全年每股稅後盈餘0.88元，順利轉虧為盈，創近三年新高。董事會決議去年下半年每股配發0.5元現金股利。