2025/12/28 09:50  
南韓三星電子（Samsung Electronics）近日爆出公司10奈米級動態內存（DRAM）核心技術遭前員工洩漏給中國長鑫存儲（CXMT）研發團隊。（示意圖，法新社）
〔財經頻道／綜合報導〕南韓三星電子（Samsung Electronics）近日爆出公司10奈米級動態內存（DRAM）核心技術遭前員工透過內部共享行動指南和暗號，涉嫌洩漏給中國長鑫存儲（CXMT）研發團隊，引發市場關注。對此，數位創作者Eric Lin表示看法，指在AI浪潮推動下，美韓陣營原本寄望能在記憶體領域建立長達3到5年的技術領先優勢，但現實發展顯示，這段紅利期恐怕遠比市場預期來得短。造成該情況原因不在於中國自主突破，而在於南韓記憶體產業長期存在的資安與內控制度漏洞，使關鍵製程技術面臨外流風險，間接削弱了美韓陣營的戰略優勢。
數位創作者Eric Lin週六（28日）在社交媒體臉書發文指出，美韓聯軍在AI熱潮中建立的記憶體紅利期恐怕比市場預期的還要短促。這場原本預計能領先3到5年的技術代差，正因為韓系廠商對中國近乎不設防的資安漏洞，演變為一場由苦主親自遞交技術食譜的荒謬劇。
Eric Lin表示，這起技術外流事件，本質上是南韓廠商自行終結美韓在記憶體上的戰略優勢。他指出，中國長鑫存儲之所以能以反物理的速度完成10奈米級DRAM量產，背後的關鍵在於完整接收了三星耗時5年、斥資1.6兆韓圜（約新台幣348億元）研發的PRP製程計畫書。
洩密者避開了所有數位監控，在三星內部的安檢死角用手寫方式記錄了超過600道製程工序。這些內容並非籠統的技術方向，而是精確到氣體配比、反應爐壓力以及光阻液參數的實戰數據，這類數據是三星在無數次失敗與報廢中換來的最佳化成果。
現在長鑫存儲無須承擔任何試錯成本，只需照表調整設備參數，便能將原本屬於三星的技術護城河，直接轉化為合肥產線上的日常標準流程。
Eric Lin還進一步指出，中國對南韓半導體技術的收割，早已不是零星個案，而是高度系統化的工業流程。他們的目標不僅限於核心研發人員，而是延伸到整條半導體供應鏈。長鑫存儲除吸收三星相關技術外，同時也透過設備商非法取得SK海力士的製程參數。
Eric Lin表示，這種多維度的技術獲取方式讓防禦變得極其困難。當設備大廠工程師在進入韓廠維護機台時，他們掌握了設備內運作的最精準數據。中國企業藉由高額顧問費、或直接策反設備商員工，將競爭對手的產線資訊一併打包帶走。
相較之下，台積電在2奈米與1.6奈米製程上採取的是主動防禦策略，透過頻繁更換製程代碼與化學參數，讓羅唯仁這類竊密者手上的資訊瞬間失效。反觀南韓廠商，在面對中國挖角與供應鏈滲透時，防護機制顯得被動且老舊，製程藍圖彷彿長期對外敞開。
Eric Lin表示，這場技術貢獻的直接代價，就是AI時代最關鍵的HBM（高頻寬記憶體）優勢正在迅速流失。Eric Lin指出，HBM的效能取決於底層DRAM的穩定度，而長鑫存儲透過竊取的10奈米技術，成功打通了通往HBM開發的快速道路。
長鑫存儲在2025年推出的DDR5產品，實際上建立在三星與SK 海力士多年研發投入之上。當中國能以極低的研發成本量產同級DRAM，美韓廠商原本享有的高毛利結構，勢必被價格戰全面侵蝕。
Eric Lin也提醒，這個被韓系廠商親自餵養出來的競爭對手，正準備以420億美元（約新台幣1.31兆元）的估值在上海上市，未來募集資金可能進一步投入先進技術發展。南韓對中國的長期不設防，已讓美國《晶片法案》的戰略防線出現難以修補的破口。若南韓記憶體業者再不建立起如同台積電般的斷層式技術隔離，那麼美韓聯軍在記憶體領域的紅利期，極可能在2026 年正式畫下句點。