00:00 開場大綱 | Introduction
01:55 鰭式場效電晶體(FinFET)原型架構的誕生
05:04 三星電子率先在3奈米製程節點採用環繞閘極(GAA)架構
07:06 電子顯微鏡(SEM)與能量色散X射線光譜(EDS)
08:55 三星Galaxy Watch 7拆解分析大解密
09:26 聚焦離子束顯微鏡(FIB)應用在晶片分析
13:13 穿透式電子顯微鏡(TEM)分析三星環繞閘極(GAA)技術
17:56 三星環繞閘極(GAA)電子通道的關鍵尺寸(CD)
21:27 三星環繞閘極(GAA)的能量色散X射線光譜映射(EDS Mapping)
23:08 結論 | Conclusion