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| 半導體》 |
| 【時報-台北電】碳化矽發展進程加快,環球晶(6488)董事長徐秀蘭26日指出,環球晶克服碳化矽長晶的技術困難,已將碳化矽(SiC)長晶成功推進至8吋,與國際大廠同步。 她預期,2024年第四季8吋碳化矽產品開始小量出貨,2025年開始放量成長,2026年將「8上6下」,8吋總出貨量比重將超越6吋。 財團法人光電科技工業協進會主辦「第三十一屆國際光電大展」,於台北南港展覽館展出,環球晶與母公司中美矽晶、集團旗下轉投資朋程科技同時參展,並各自推出化合物半導體的最新成果。 就碳化矽發展進度,徐秀蘭在展場受訪時透露,環球晶8吋碳化矽長晶良率太好了,但產出爐數還不夠,還有成長的空間,目前比50%高一些。 環球晶強調,目前已具備8吋碳化矽長晶、切割、研磨及拋光技術能力,明年上半年可以送樣品。徐秀蘭說,客戶希望環球晶盡快排出6吋及8吋的切換時程,做到「8上6下」,8吋碳化矽需求出乎她先前預期,主要是來自車用客戶的要求。 目前環球晶碳化矽基板主要在台灣生產,未來碳化矽磊晶將會在美國廠進行,並會再拓展二個基板廠、二個磊晶廠。 碳化矽晶體因需於極高溫密閉環境下生長,長晶爐熱場及坩堝材質等因素須通盤考慮設計,增加了設備和操作的複雜性。 環球晶自主設計開發碳化矽專用長晶爐,在實現更高材料品質控制的同時,進一步降低長晶成本。 碳化矽高硬度與高脆性,使後續晶圓加工過程非常困難。環球晶以更高製程精度與更有效晶圓處理方法,實現碳化矽晶圓的超薄加工。 此次展場中展出的6吋90微米及8吋350微米碳化矽超薄拋光晶圓,也成為眾人矚目焦點,環球晶的薄化技術能力,將減少客戶後段處理工段及成本,也符合低碳環保訴求。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍/台北報導) |