無懼寒冬！三星擴大晶圓代工、DRAM產能
工商時報陳怡均、數位編輯 2022.12.26
三星示意圖。圖／美聯社

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逆勢擴產 韓媒：三星明年提高半導體產能
路透引述韓國媒體報導指出，在市場預料全球經濟趨緩之際，三星電子仍計劃明年擴大旗下最大半導體廠產能。
這家韓國晶片巨頭逆勢擴產，與近期對手因晶片需求下滑而紛紛縮減投資的作法大相逕庭。分析師曾指出，三星的投資計畫持續進行，有助於提振記憶體晶片的市占，以便日後需求復甦時挹注股價回升。
《首爾經濟日報》（Seoul Economic Daily）周日稍晚引述不具名產業人士消息指出，三星擬提高平澤市（Pyeongtaek）P3廠提高12吋晶圓DRAM產能。此外還會擴展依照晶片代工合約的4奈米晶片產能。該公司並將增加至少10台極紫外光設備。
（工商時報 陳怡均）
P3工廠擴DRAM設備 估月產12吋晶圓7萬片
儘管近來全球晶片市場低迷不振，多數晶片製造商在資本支出越來越保守，但根據華爾街見聞引述首爾經濟日報報導，全球最大記憶體晶片製造商三星電子（Samsung）明年將擴大DRAM與晶圓代工產能。
業內消息人士表示，三星電子2023年將在坐落韓國平澤（Pyeongtaek）廠區的P3工廠擴增DRAM設備，每月估可生產12吋晶圓達7萬片。此外，三星另規劃將P3晶片代工廠產能提高至3萬片。
P3晶圓代工廠為三星迄今最大晶圓代工廠，為P2廠的1.7倍，主要生產記憶體及邏輯IC代工，目前DRAM產線無塵室已竣工，NAND產線無塵室完工啟用時間估落在2023年第一季，後續也將投入3奈米晶圓代工擴產。
目前三星在韓國有5座半導體工廠，分別位於器興、華城、平澤、溫陽和天安。在中國另有3座半導體工廠，分別座落蘇州、天津和西安。
三星電子在2021年宣布將斥資170億美元在美國德州泰勒市（Taylor）建造一座新晶圓廠，預計於2024年投入營運，將生產用於5G、高性能運算和人工智慧應用的先進晶片。此外，還制定一項中長期的計劃，擬於未來20年內，在德州興建11家廠房，但分析師表示，有鑑於多數主要無晶圓廠公司都在美國，中長期內，三星將在美國大規模生產3奈米晶片。
（工商時報 數位編輯）