三星跳電 利基型DRAM現貨價 2天漲10％
2010-03-27 工商時報 【記者李淑惠／台北報導】
受到DRAM大廠三星半導體間歇性跳電影響，DRAM價格出現噴出走勢，利基型DRAM的DDR 512Mb現貨價連續2天大漲，累計漲幅達10％，明顯受到三星8吋廠跳電激勵，而正在進行主流交替的DDR2價格也強勁噴出，均價在今年首度超越主流的DDR3，站上每顆3.15美元。
DRAM現貨報價本周走勢令市場吒舌，原本就已經供需吃緊的價格受到三星跳電的事件激勵，價格強勢反彈，由於三星位於器興的8吋廠以生產DDR1以及靜態隨機存取記憶體，現貨價格也以DDR 512Mb的走勢最為強勁。
根據集邦科技的現貨報價，三星跳電的首日，DDR 512Mb的報價就大漲超過7％，昨（26）日再接續大漲3.6％，均價站上每顆2.24美元，累計2個工作日漲幅就高達10％。
此外在大宗標準型DRAM方面，也出現戲劇性走勢，受到DDR2產能短缺影響，DDR2的漲勢超過DDR3，本周漲幅同樣超過10％，DDR2 1Gb有效測試顆粒價格站上3.15美元，昨單日漲幅達2.4％，而昨日DDR3報價則為3.05美元。
日前創見董事長束崇萬推估，DRAM廠的生產成本落在1.5美元左右，報價在2.5美元至2.6美元時，DRAM廠的毛利率約有30％至40％毛利率，如今現貨市場報價已經達3美元以上，據此推算，以現貨市場為主的DRAM廠，本周已經出現賣一顆賺一顆的盛況。