超車台積？ 三星宣布3奈米GAA成功流片
工商時報 數位編輯 2021.06.29
三星電子。圖／美聯社


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南韓科技大廠三星電子打算在2030年成為全球系統半導體龍頭，並採用極紫外光（EUV）微影技術，打算在10年內超越同為晶圓代工領域的競爭對手台積電，3奈米製程就採用環繞閘極技術（Gate-All-AroundGAA），並在今年3月於IEEE國際積體電路會議公布3奈米製程GAA技術細節。最新消息指出，三星的3奈米製程已經成功流片。
GAA技術擁有更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求，並有2種架構，一種是採用奈米線做為電晶體鰭片的GAAFET，另外一種則是採用CMOS、以奈米片形式的較厚鰭片的多橋通道場效應電子電晶體 MBCFET，一般大多是以GAAFET來描述，以及2款基於奈米片設計的3GAAE和3GAAP。
GAAFET早在1988年就問世，該種設計更有效擴張接觸面積，理論上讓性能與功耗大幅改善，但在當時電晶體通道只能加寬1或2倍，精度難以控制，甚至使得效率變差，導致同為多重閘道3D電晶體的鰭式場效電晶體（FinFET），更早一步被業界踏入先進製程領域廣為使用。
三星當時表示，與該公司的7奈米LPP製程相比，3GAAE製程可以在同樣功耗下提高性能30%，或是在同樣頻率下降低功耗50%，電晶體密度提升80%。三星預計MBCFET將在2022年投產。
台積電則是在日前的技術論壇強調，3奈米製程發展順利，將照時程於2022下半年量產。
據《新浪財經》報導，三星3奈米正式流片（Tape Out），主要是與新思科技（Synopsys）合作，加速為 GAA技術提供最佳化解決方案，因為三星3奈米與台積電、英特爾目前採用的FinFET架構不同，需要新設計與認證工具，所以採用Fusion Design Platform，該製程設計套件（PDK）於2019年5月發布，並在2020年通過製程技術認證。
預料三星3奈米製程GAA技術將運用在高效能運算（HPC）、5G、通訊、AI等應用領域上。
三星代工設計技術團隊副總裁Sangyun Kim指出，三星代工是推動下一階段行業創新的核心，三星不斷發展新的技術製程，滿足專業和廣泛市場應用不斷增長的需求，並受惠於與新思科技合作，Fusion Design Platform 加速準備以有效實現3奈米製程技術承諾，證明關鍵聯盟的優勢。
至於台積電，GAA技術將進展到2奈米製程CMOS開始導入，目前正以3奈米製程維持FinFET架構，將重點放在2奈米以外節點，以及3D電晶體、新記憶體以及low-R interconnect等領域，為各項技術平台創造發展基礎，並且加強Fab 12的研發N3、N2甚至更高階的先進製程節點。
文章來源：新浪財經
（中時新聞網 呂承哲）
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