2025-02-12 13:55:24 記者 郭妍希 報導
三星電子(Samsung Electronics Co.)據傳重新設計第6代1c製程DRAM來改善良率，這對即將推出的第六代高頻寬記憶體(HBM)「HBM4」產量能否穩定至關重要。
Wccftech 11日引述ZDNet報導，三星自2024年下半年起就持續評估其先進DRAM製程設計，如今決定重新設計其高階1c DRAM製程，藉此確保HBM4能獲業界採納。

報導指出，三星先進DRAM製程並未達成良率目標。1c DRAM自開發初期便面臨提升良率的挑戰。儘管三星去(2024)年下半已首次產出合格晶片，但整體良率仍不理想。

熟悉內情的業界人士表示，三星調整1c DRAM設計後，正全力提升良率，目標是在今年年中(5~6月)取得具體成效。儘管這會增加製造成本，但三星似乎更在意次世代記憶體產品的量產狀況是否穩定。

三星計畫將1c DRAM優先應用於HBM4，藉此在產品競爭力上取得領先。

輝達(Nvidia Corp.)執行長黃仁勳(Jensen Huang)先前就曾透露，三星必須「重新進行設計」(has to engineer a new design)才能通過輝達對其HBM的驗證程序。

黃仁勳1月7日在拉斯維加斯消費電子展(CES)舉行的記者會上表示，「三星必須重新設計，但他們可以做到、且工作速度飛快。」「韓國人非常沒耐心，這是好事。輝達使用的第一款HBM其實是三星創造的。他們勢必能重振旗鼓。」

三星的HBM持續面臨品管問題，SK海力士一直是輝達第三代高頻寬記憶體「HBM3」的獨家供應商。

(圖片來源：shutterstock)

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