南亞科、瑞晶40奈米6月導入全面反制三星大擴產計畫
2010/06/15 - DIGITIMES 連于慧／台北
繼三星電子(Samsung Electronics)宣布大手筆資本支出，台系DRAM廠亦不甘示弱，台塑集團旗下南亞科和爾必達(Elpida)集團旗下瑞晶都決定提前於6月導入42及45奈米製程，較原訂計畫提前整整1季。南亞科發言人白培霖表示，40奈米世代技術對半導體業者是很大挑戰，但對於美光(Micron)與南亞科而言，42奈米是50奈米製程延伸技術，只要跨過50奈米，快速銜接42奈米製程並不難。
面對三星來勢洶洶，半導體事業資本支出高達80億~90億美元，台系DRAM廠因應之道就是加速製程微縮腳步，台系DRAM廠現在都卯足勁加速製程轉換，提前新一代製程導入時間點。南亞科和瑞晶不約而同將旗下40奈米製程世代，提前於6月導入，相較於原本計畫提前整整1季。記憶體業者表示，一方面是因為ASML浸潤式微影設備(Immersion Scanner)陸續交貨，另一方面則是受到三星的刺激，決定要加快新製程速度，免得未來在技術和成本競爭力與三星越拉越大。
南亞科指出，目前12吋晶圓廠3萬片產能中，50與68奈米製程各佔50%，預計第3季全數轉進50奈米，而原本第3季才投片試產的42奈米製程，將提前於6月投片，預計42奈米製程成本結構可較50奈米下降30%，相當具有競爭力。至於同集團的華亞科42奈米製程進度亦是同步提前，原本計劃第4季導入，目前預計9月開始試產。
瑞晶亦決定提前在6月導入爾必達45奈米製程，事實上，瑞晶早就希望在第2季導入45奈米製程，但因ASML浸潤式微影設備一直延宕交貨，使得瑞晶被迫延後，原本以為要等到第3季，如今確定6月開始導入，預計可趕上第3季底逐漸量產。瑞晶目前主流投片製程為63奈米，預計7月旗下8萬片12吋晶圓廠產能可全數轉進63奈米，同時亦全力提升45奈米製程良率。
白培霖認為，40奈米製程世代對於所有半導體廠包括DRAM廠、晶圓代工廠，都是很大挑戰，要從60或70奈米直接跳到40奈米製程，技術門檻很高，但南亞科和美光狀況不一樣，美光42奈米幾乎是50奈米微縮延伸版本，美光、南亞科和華亞科都花很多時間轉進50奈米，未來在導入42奈米時，技術難度就不會這麼高。
瑞晶和力晶目前大量導入63奈米製程，優點是投入極少資本支出，但獲得成本效益並不輸美光陣營50奈米製程技術，但缺點是採用63奈米製程無法生產2Gb容量晶片，雖然可以用2顆1Gb晶片來堆疊出貨，但在封裝成本效益及省電上，1Gb晶片還是無法與2Gb晶片相比。
由於三星宣布將投入高達80億~90億美元資本支出在半導體事業上，其中一半資金用在升級現有DRAM廠機器設備和製程技術，顯見三星對於其46奈米、甚至下一代30奈米製程相當有信心，因此，DRAM市場在2010年下半會面臨三星產能大幅增加的嚴峻考驗。南亞科認為，這一波DRAM產業榮景可持續到2011年底或2012年上半，除觀察各廠新產能開出時間點，還要看企業換機需求能維持多久。
圖說：南亞科、瑞晶提前6月導入42及45奈米製程，力拼三星。圖為消費者參觀南亞科DRAM產品展示。法新社
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