陸推新版太陽能產業規範，提高單/多晶矽製造門檻
2018/03/02 10:18 Moneydj理財網
MoneyDJ新聞 2018-03-02 10:18:26 記者 新聞中心 報導
大陸太陽能單多晶製造門檻進一步提高。大陸工信部昨(1)日發佈新版太陽能製造行業規範條件顯示，未來將嚴格控制新上單純擴大產能的太陽能製造專案，要求新建和改擴建企業的多晶矽專案每期規模不低於3，000噸/年，多晶矽電池和單晶矽電池最低光電轉換效率分別不低於19%和21%。上述規範條件係自2018年3月1日起實施。
按照上述規範條件，在生產佈局與專案設立方面，大陸官方將嚴格控制新上單純擴大產能的太陽能製造專案，引導太陽能企業加強技術創新、提高產品品質、降低生產成本。新建和改擴建多晶矽製造專案，最低資本金比例為30%，至於其他新建和改擴建太陽能製造專案，最低資本金比例為20%。
在生產規模和製程技術方面，大陸太陽能製造企業按產品類型應滿足多晶矽專案每期規模不低於3，000噸/年、矽錠年產能不低於1，000噸、矽棒年產能不低於1，000噸、矽片年產能不低於5，000萬片、晶矽電池年產能不低於200MWp、晶矽電池組件年產能不低於200MWp、薄膜電池組件年產能不低於50MWp、逆變器年產能不低於200MWp(微型逆變器不低於10MWp)等生產條件。
現有太陽能製造企業及專案產品則應滿足一系列技術指標要求，其中多晶矽電池和單晶矽電池的最低光電轉換效率分別不低於18%和19.5%；矽基、銅銦鎵硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)及其他薄膜電池組件的最低光電轉換效率分別不低於8%、13%、12%、10%。
在新建和改擴建企業及專案產品的技術指標要求則更高，多晶矽電池和單晶矽電池的最低光電轉換效率分別不低於19%和21%；矽基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的最低光電轉換效率分別不低於12%、14%、14%、12%。
此外，本次新規範條件亦要求大陸多晶矽電池組件和單晶矽電池組件衰減率首年分別不高於2.5%和3%，後續每年不高於0.7%，25年內不高於20%；薄膜電池組件衰減率首年不高於5%，後續每年不高於0.4%，25年內不高於15%。
上證報引述業內人士認為，2018年大陸太陽能市場將繼續保持快速增長態勢，龍頭企業效益將獲得一定支撐，但太陽能企業之間的競爭將愈趨激烈，整體競爭將主要集中於技術與效率。