2010-03-27 【時報-記者高子惠綜合報導】
記憶體一周商情綜述(20100322~20100326)：
本周DRAM現貨在三星跳電事件影響下，報價大幅攀升，其中DDR2 1Gb顆粒一周來漲幅皆高達約7.7%，漲至3美元上方；綜觀一周來走勢，DDR2 1Gb 800MHz一周來上漲7.72%，周四收市價為3.07美元，DDR2 1Gb eTT同樣為上漲7.72%，周四收市價為3.07美元。DDR1報價方面漲勢更為凌厲，其中DDR 512Mb 400MHz及DDR 512Mb eTT一周來漲勢高達17.68%及17.39%，周四收市價為2.16美元及2.13美元，分別創下近一年來新高價位。
NAND Flash現貨市場也同樣普遍上揚，其中16Gb MLC一周來上漲4.08%，32Gb MLC及64Gb MLC一周來也分別上漲1.38%及1.13%。集邦科技表示，跳電事件過後，市場整體需求大增，也激勵價格全面大幅攀升。
另外，在合約市場方面來看，3月下旬DRAM合約價全面持平，而NAND Flash則呈現漲跌互見走勢，漲跌幅約在1%-5%之間。集邦科技表示，自今年第二季起，多數NAND Flash供應商將受惠於新型智慧手機、平板電腦及新行動式電子產品等應用需求的遞增效益，再加上iPad 4月即將上市的助力，估計主流2-bit/cell MLC顆粒價格將受激勵而逐步止跌回穩。(新聞來源：商品行情網www.info-cip.com)