半導體市場第2季需求明顯趨緩，但國際半導體設備材料產業協會（SEMI）公布2015年4月份北美半導體設備訂單及出貨金額，卻同步攀上近3年新高，其中有2個主要原因，一是記憶體廠力拚20奈米DRAM製程微縮及3D NAND擴產；二是晶圓代工廠10奈米製程競賽正式開打。
台積電16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程已進入量產階段，雖然進度上落後三星14奈米FinFET製程，但台積電信心滿滿，認為第3季產能快速拉升後，明年將可奪回14/16奈米FinFET製程市場占有率，且加計20奈米的市占率將在明年遠遠超過競爭對手。
為了避免先進製程推進速度落後對手的情況再度發生，台積電今年拉高資本支出逾100億美元，全力投入10奈米FinFET製程的研發，預計今年底就可開始試產，接受客戶的產品設計定案（tape-out），明年底將進入量產。雖然台積電10奈米進度仍落後半導體市場龍頭英特爾，但已明顯拉進雙方的技術差距。
不過，三星也非省油的燈，根據外電報導，三星在美國舉辦的會議中，宣布10奈米FinFET製程將在明年底全面投產，時間點與台積電大致相同。三星晶圓代工部門副總裁Hong Hao表示，三星10奈米製程在功耗、晶片尺寸、效能上都有很大的優勢。
為了對抗台積電，三星的14奈米布局也加速進行，與晶圓代工廠格羅方德進行策略聯盟。三星位於韓國的2座晶圓廠、位於美國奧斯汀的12吋廠、以及格羅方德位於美國紐約州的晶圓廠，都已導入14奈米製程並開始生產。
台積電10奈米面臨三星的挑戰，已有許多不一樣的投資布局，包括今年進行矽智財驗證程序，且已完成35件設計工具的驗證，同時也將率先在部份光罩上導入新一代的極紫外光（EUV）微影技術。此外，台積電也提供客戶後段封測代工服務，在先進封裝開發出的整合扇出型（InFO）技術已開始驗證16奈米產品，預計明年量產，第二代InFO將應用在10奈米世代。