【經濟日報編譯楊宛盼／10日電】三星電子西安NAND快閃記憶體廠已正式啟用，採用最先進的3D製程，盼能在供應需求龐大的中國NAND記憶體市場時，取得更多彈性。
三星初步斥資23億美元設立這座廠房面積達114萬平方公尺的工廠，2012年9月動工，但產能未對外公布，廠房設備將視市況等因素增減，投資額最高將達70億美元。
該廠將由直接由三星全資子公司掌管，並採用3D垂直快閃記憶體製程。三星南韓華城廠去年首度採用3D晶片製造技術，獨步全球。
這款新晶片不但比傳統NAND快閃記億體速度快，也更節能。
三星為了滿足中國快速成長的晶片需求，中國已成為該公司的第三大晶片生產重鎮，僅次於南韓與美國。三星預估，全球半數NAND記憶體需求將來自於中國。